| 【关 键 词】 | 显像管 离子轰击 残余气体分析 电真空器件 真空科学 放电过程 放电特性 驱动电压 技术学 电压波形 |
| 【摘 要】 | 0617005谐振腔发光器件的胶质合成半导体纳米晶体=Col-loidally synthesied semiconductor nanocrystals in resonantcavity light emitting devices〔刊,英〕/J.Roither,W.Heiss//Electronics Letters.—2002,38(22).—1373(E)0617006显像管残余气体分析及离子轰击研究〔刊,中〕/张晓兵//真空科学与技术学报.—2006,25(增刊).—115-117(L)显像管中的残余气体是影响显像管质量和寿命的重要因素,通过四极质谱残余气体分析系统,可以对显像管中的残余气体进行有效的分析,对带消气剂的真空器件,本底要考虑扣除消气剂作用的影响。在此基础上可以进行残余气体离子轰击的计算机模拟研究,并对显像管电子枪进行优化设计。参30617007驱动电压对新型荫罩式PDP单元放电特性影响的研究〔刊,中〕/张健//真空科学与技术学报.—2006,25(增刊).—105-108(L)改变荫罩式等离子显示板(SM-PDP)的驱动电压波形,会使PDP在放电过程中的空间电场发生变化,从而使放电过... |
