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    光刻工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响

    放大字体  缩小字体 发布日期:2021-11-22 14:21:17    浏览次数:10    评论:0
    导读

    【分类导航】工业技术-无线电电子学、电信技术-光电子技术、激光技术-红外技术及仪器【关键词】长波碲镉汞接触式光刻光刻工艺非均匀性Matlab仿真【摘要】通过分析器件工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响,发现光刻工艺非均匀性累积进而显著影响碲镉汞芯片性能的现象。应用Matlab仿真计算,定量分析了碲镉汞材料片表面凸点

    【分类导航】工业技术->无线电电子学、电信技术->光电子技术、激光技术->红外技术及仪器
    【关 键 词】长波碲镉汞 接触式光刻 光刻工艺非均匀性 Matlab仿真
    【摘    要】通过分析器件工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响,发现光刻工艺非均匀性累积进而显著影响碲镉汞芯片性能的现象。应用Matlab仿真计算,定量分析了碲镉汞材料片表面凸点对不同线宽光刻工艺非均匀性的影响,提出了降低光刻工艺非均匀性累积的方法和高质量光刻工艺对碲镉汞材料平坦度的具体要求


     
    (文/小编)
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