| 【分类导航】 | 工业技术->无线电电子学、电信技术->半导体技术->一般性问题 |
| 【关 键 词】 | 红外探测器 焦平面 湿法刻蚀 锑化铟 |
| 【摘 要】 | 随着大格式InSb FPA器件发展,像元间距越来越小,芯片总面积不断增加,对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求,原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求,主要体现在湿法横向刻蚀导致原本设计很小的像元面积进一步缩小,严重降低InSb FPA的填充因子。通过实验,介绍一种湿法刻蚀工艺,可以较好解决上述问题。 |
【分类导航】工业技术-无线电电子学、电信技术-半导体技术-一般性问题【关键词】红外探测器焦平面湿法刻蚀锑化铟【摘要】随着大格式InSb FPA器件发展,像元间距越来越小,芯片总面积不断增加,对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求,原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求,主要体现在湿法横向刻蚀导致原本设计很小的像元
