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    石英晶片表面处理方法对比

    放大字体  缩小字体 发布日期:2021-11-24 14:33:10    浏览次数:726    评论:0
    导读

    摘 要:分别用浓H2SO4溶液、浓HCl溶液、NH3·H2O溶液以及RCA清洗法对石英晶片进行亲水化处理,再用荧光蛋白扫描来检验4种方法处理后的效果。结果表明:用浓H2SO4溶液处理30 min的效果最佳。关键词:石英晶片;亲水化处理;接触角;荧光扫描0 引言石英晶片在工业生产、科学研究等领域中的应用十分广泛。一方面,石英晶体元器

    摘 要:分别用浓H2SO4溶液、浓HCl 溶液、NH3·H2O 溶液以及RCA清洗法对石英晶片进行亲水化处理,再用荧光蛋白扫描来检验4种方法处理后的效果。结果表明:用浓H2SO4溶液处理30 min的效果最佳。

    关键词:石英晶片;亲水化处理;接触角;荧光扫描

    0 引言

    石英晶片在工业生产、科学研究等领域中的应用十分广泛。一方面,石英晶体元器件可应用于通信、计算机、彩色电视机、音像制品、电子玩具、汽车电子设备和医用电子设备等诸多领域[1] ;另一方面,石英晶片作为固定物质的载体,广泛应用于检测仪器中,如表面等离子体共振仪(surface plasmon resonance instrument,SPRI)[2]、核磁共振成像仪(nuclear magnetic resonance imaging,NMRI)[3]、椭偏仪[4]、石英晶体微天平(quartz crystal microbalance,QCM)[5]等。

    在石英晶片的使用过程中,表面清洗与处理是一个较重要的环节。由于晶片表面容易存在金属、颗粒以及有机物等污染物[6],使用前必须对其进行有效清洗。目前,常用的清洗方法有化学清洗法、机械擦洗法、超声波清洗法、兆声波清洗法、旋转喷淋法、臭氧清洗法、激光清洗法等[7-9]。实验室主要采用超声清洗法与化学清洗法。化学清洗法的清洗液主要有浓硫酸/双氧水[10-12]、氨水/双氧水,以及浓盐酸/双氧水[13]等。其清洗作用主要包括2个方面:一方面是去除表面污染物;另一方面是对表面进行亲水化处理,在晶片表面形成大量羟基,为晶片与其它分子连接提供结合位点。目前,对石英晶片表面的处理方法已有较多报道[13-16],但对不同方法处理的效果没有详细的研究与比较。本文对石英晶片表面处理的几种常用方法进行比较,以优化石英晶片的最佳表面处理条件。

    1 实验部分

    1.1 试剂与仪器

    3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyl triethoxysilane,APTES)购自Sigma公司;荧光标记IgG蛋白购自上海晶天生物科技有限公司;二氧化硅晶片由国防科学技术大学提供;丙酮、浓硫酸、浓盐酸、过氧化氢、氨水、戊二醛均为分析纯。KQ-500DB型超声波清洗器和视频光学接触角测量仪,均由德国Dataphysics公司生产;GenePix4100A生物芯片扫描仪由德国Axon公司生产。

    1.2 实验

    为去除石英晶片表面污染物,先用物理方法作前期处理:将晶片分别用丙酮、无水乙醇、双蒸水超声处理5min,超纯水冲洗干净,纯氮吹干备用。

    将去污后的石英晶片用4种不同方法作亲水化处理:第一种用V(浓H2SO4):V(H2O2)=7:3的溶液,第二种用V(浓HCl):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5的溶液,第三种用 V(NH3·H2O):V(H2O2):V(H2O)=1:1:6的溶液,第四种是传统的RCA(radio corporation of america)清洗。为考察处理时间对亲水化效果的影响,前3种方法中溶液浸泡处理时间分别为5, 10,20, 30, 45 min。第四种方法具体步骤为:先在100~130℃下用浓硫酸/过氧化氢处理30 min,再在65~80 ℃下用氨水/过氧化氢处理30 min,然后在20~25 ℃下用氢氟酸/过氧化氢处理30 min,最后在65~80 ℃下用浓盐酸/过氧化氢处理30 min。

    亲水处理后,石英晶片表面会产生羟基。用3-氨丙基三乙氧基硅烷溶液浸泡亲水处理后的石英晶片40 min,超纯水清洗,纯氮吹干。然后将晶片在110℃下烘30 min,放入质量分数为5%的戊二醛中浸泡120 min,分别用磷酸缓冲液和超纯水冲洗,纯氮吹干备用。在经过上述处理的石英晶片表面用荧光标记IgG蛋白点样,在37 ℃下湿盒温浴2h,分别用磷酸盐缓冲液和超纯水冲洗,纯氮吹干,用芯片扫描仪进行荧光检测。

    2 结果与讨论

    2.1 超声清洗结果

    将石英晶片依次在丙酮、无水乙醇和超纯水中超声5 min,超声前后的接触角如图1所示。从图可以看出,超声前后接触角有明显改变,由53.1°变为38.0°。这表明经过丙酮、无水乙醇、超纯水超声清洗后,石英晶片表面的污染物(特别是有机污染物)被物理去除,石英晶片表面的亲水性增强,这为石英晶片的后续处理与使用打下了基础。

    2.2 亲水化处理结果

    超声后的石英晶片分别用1.2节中3种不同的氧化体系进行亲水化处理,使晶片表面产生羟基。3种溶液处理后接触角与时间的关系如图2所示。

    图1 超声前后的接触角对比
    Fig.1 The contact angle of quartz crystal surface before and after ultrasonic treatment

    图 2 不同亲水化处理的接触角与时间的关系
    Fig.2 The relationship of contact angle and treating time under different hydrophilic treatment for quartz crystal surface

    从图2可知,经过浓H2SO4溶液浸泡的石英晶片,其接触角明显小于另外2种溶液处理后的接触角。这表明经浓H2SO4溶液处理后,晶片表面产生了更多的羟基,这有利于它与其他分子的连接。因此,用浓H2SO4溶液处理的方法优于另外2种处理方法。

    另外,从图2还可以看出,石英晶片经浓H2SO4溶液处理30 min后,接触角达到最小值,再延长浸泡时间,接触角没有明显的变化。这表明晶片表面的羟基随处理时间的增加而增多,30min后达到饱和。因此,最佳的处理时间为30min。

    传统的RCA清洗方法得到的接触角为12°,这与用浓H2SO4溶液处理后的接触角相近,但从操作方面考虑,用浓H2SO4溶液处理是最佳的亲水处理方法。

    2.3 氨基硅烷表面修饰检验

    为了证明亲水处理后表面羟基的存在以及亲水化处理方法的可行性,采用APTES自组装修饰石英晶片。APTES的烷氧基通过水解与晶片表面的羟基结合,从而在晶片表面形成APTES单分子层。图3为APTES修饰前后石英晶片表面接触角对比。

    图3APTES修饰前后的接触角对比
    Fig.3 The contact angle of the quartz crystal surface before and after APTES modification

    从图3可以看出,APTES修饰后,晶片表面的接触角增大,由修饰前的13.2°增大到28.3°。这是因为,APTES与晶片表面羟基发生反应时,1个APTES分子与3个羟基反应,反应后APTES分子中只有1个氨基裸露在外面,相当于3个亲水羟基被1个亲水氨基替代,造成亲水基团减少,亲水性降低。这也说明APTES与晶片表面羟基已成功结合。

    2.4 蛋白质荧光扫描检验

    为进一步验证晶片处理效果,在APTES修饰的晶片表面结合荧光蛋白,通过荧光扫描进行验证,结果如图4所示。

    从图4可以看出,荧光蛋白通过戊二醛已与APTES的氨基成功结合,显示出较强的荧光,荧光强度值达到1 000。这也进一步证实了石英晶片经浓H2SO4溶液亲水化处理后,表面带有大量羟基,它可进一步与其它分子(如DNA、蛋白质等)有效结合。

    图4 晶片表面结合蛋白的荧光图
    Fig.4 Fluorescence image of quartz crystal surface binding protein

    3 结语

    本文对石英晶片的表面处理方法进行了比较。石英晶片经物理超声后,表面污染物被去除,接触角减小。分别用浓H2SO4、浓HCl 和NH3·H2溶液以及RCA清洗法进一步亲水化处理,以浓H2SO4溶液处理后石英晶片的接触角减小最多,且处理30min后效果最佳。处理后的晶片通过APTES修饰后与荧光蛋白质结合,具有较强的荧光信号。因此,用浓H2SO4溶液处理石英晶片表面是亲水化处理的最佳方法。


     
    (文/小编)
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