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| 【关 键 词】 | 氧化镓单晶 导模法 n型掺杂 肖特基二极管 |
| 【摘 要】 | 本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓（β-Ga 2 O 3 ）单晶,掺杂浓度为2×10 18 cm -3 。晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光（CL）及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好。紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV。此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强E Ava 为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm 2 ,展示了优异性能。 |
